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SiTime融合MEMS技术和混合信号设计的产品SiT1576

作者:小扬
日期:2018年12月12日 14:03
浏览量:1116
  SiTime的TempFlat MEMS™技术和混合信号设计专业知识使得1.2mm2芯片规模封装中的第一台功率TCXO成为可能——这是世界上最小的封装。典型的核心电源电流在100kHz时只有6.0μA。与标准振荡器不同,SiT1576超级TCXO是在1Hz和2.5MHz之间工厂可编程的。这种独特的,超小型的TCXO以其广泛的频率范围实现了新的体系结构选项。SiT1576是在多个温度点上工厂校准的,以保证非常紧密的频率稳定性,低至±5ppm(初始温度及过温度)。(相关阅读可以查看YXC金沙app客户端下载官网《MEMS技术给硅晶振带来什么优势》)
SiTime融合MEMS技术和混合信号设计的产品SiT1576

  频率:1Hz至2.5MHz

  频率稳定性(ppm):±5,±20

  工作温度范围(°C):-20至+70,-40至+85

  振荡器类型:Hz-MHz TCXO型振荡器

  输出类型:LVCMOS

  包类型(mm):1.5x0.8

  特色:低抖动

  电压(V):1.62至3.63

  SIT1576特色与效益

  工厂可编程频率:1Hz至2.5MHz

  针对低功耗架构方案进行优化

  超低功率:33kHz时4.5A(典型),100kHz时6.0A(典型)。

  使电池寿命最大化

  芯片规模(CSP)的最小占地面积:1.5×0.8mm

  节省板空间

  ±5ppm全包含频率稳定性

  改进的本地计时和改进的系统能力,减少对移动和可穿戴设备的网络计时更新的依赖

  内部VDD电源滤波

  消除外部VDD旁路电容器,保持超小占地面积

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